RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3851
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link