RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2832
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology C 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link