RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
52
Около 50% меньшая задержка
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
52
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2893
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link