RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
48
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
48
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
10.9
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2496
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link