RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
50
Около 48% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
50
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2512
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link