RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
42
Около 38% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
42
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.7
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2737
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link