RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3172
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link