RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
71
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
71
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1650
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link