RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2466
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HB0NS-CG 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link