RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
18.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
4095
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link