RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
UMAX Technology 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против UMAX Technology 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
UMAX Technology 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
69
Около 62% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
8.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
UMAX Technology 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
UMAX Technology 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
69
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.5
Скорость записи, Гб/сек
9.0
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1926
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
UMAX Technology 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link