RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
30
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
10600
Около 2.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
23400
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
3272
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link