RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
8.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2213
3302
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link