RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
49
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.3
Скорость записи, Гб/сек
8.7
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
3044
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link