RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
49
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.7
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
2725
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link