RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
80
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
80
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.7
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
1775
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link