RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.7
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
2409
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link