RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.7
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
3167
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link