RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.7
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2427
3273
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link