RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против AMD R7416G2133U2S 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
AMD R7416G2133U2S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
78
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
6.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R7416G2133U2S 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
78
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
13.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
1594
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link