RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
49
Около -172% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
18
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
20.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3402
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link