Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 49

Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.2 10.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.4 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 32
Скорость чтения, Гб/сек

10.2 17.2
Скорость записи, Гб/сек

8.1 14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2465 3189

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

Kingston 9965662-015.A00G 16GB

Kingston 9965662-015.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB

Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB

модули RAM

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB

EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Kingston 9905471-071.A00LF 8GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

модули RAM

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB

модули RAM