RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3519
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
AMD R5316G1609U2K 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link