RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
49
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3937
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link