Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Средняя оценка

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 49

Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.2 10.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.7 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 26
Скорость чтения, Гб/сек

10.2 16.2
Скорость записи, Гб/сек

8.1 12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2465 2728

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB

Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB

Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 99U5643-001.A00G 8GB

Kingston 99U5643-001.A00G 8GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905734-022.A00G 16GB

Kingston 9905734-022.A00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB

Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB

модули RAM