RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    10.2 left arrow 10
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.1 left arrow 7.0
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 49
    Около -40% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    49 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    10.2 left arrow 10.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.1 left arrow 7.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2465 left arrow 2068

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM

Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
модули RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
модули RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
модули RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
модули RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
модули RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
модули RAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
модули RAM