RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Kingston XCCT36-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
49
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
17.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3795
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link