RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Kingston XN205T-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Kingston XN205T-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston XN205T-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
49
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3522
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB Сравнения RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link