RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
49
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3070
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link