RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
49
Около -172% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
18
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
20.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3564
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link