Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Средняя оценка

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Сообщить об ошибке

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 49

Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.7 10.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.0 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 34
Скорость чтения, Гб/сек

10.2 15.7
Скорость записи, Гб/сек

8.1 13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2465 3052

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB

Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB

Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB

Kingston KF548C38-16 16GB

Kingston KF548C38-16 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB

модули RAM