RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
49
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
10.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
3715
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link