RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
52
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
2795
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link