RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
52
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
25
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
2740
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link