RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
52
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
41
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
3073
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link