RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
52
Около -41% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
37
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
9.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
2229
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Inmos + 256MB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link