RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
52
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
1983
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link