RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
44
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
31
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2316
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link