RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
18.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3721
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link