RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
44
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
21
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2807
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link