RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
44
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2949
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link