RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3300
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link