Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 44

Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.3 11.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.2 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 35
Скорость чтения, Гб/сек

11.2 16.3
Скорость записи, Гб/сек

8.1 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2293 2893

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB

Kingston XN205T-HYD2 16GB

Kingston XN205T-HYD2 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB

модули RAM