RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
44
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
35
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2091
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link