Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка

Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 44

Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.7 11.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.7 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 25
Скорость чтения, Гб/сек

11.2 16.7
Скорость записи, Гб/сек

8.1 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2293 2261

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston HX424C15PB/4 4GB

Kingston HX424C15PB/4 4GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

модули RAM