RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
44
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3227
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link