RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3519
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link