Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 44

Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20.9 11.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.4 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 28
Скорость чтения, Гб/сек

11.2 20.9
Скорость записи, Гб/сек

8.1 17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2293 3963

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB

Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB

модули RAM

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Kingston 9905783-025.A01G 16GB

Kingston 9905783-025.A01G 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB

модули RAM