RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
44
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3426
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link