RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
44
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3937
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link